Ge nanocrystals embedded in SiO2 in MOS based radiation sensors
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DOI：
10.1016/j.nimb.2010.09.007
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发表时间：
2010-11
影响因子：
1.3
通讯作者：
A. Aktağ;E. Yılmaz;N. A. Mogaddam;Gülnur Aygün;A. Cantas;R. Turan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Aktağ;E. Yılmaz;N. A. Mogaddam;Gülnur Aygün;A. Cantas;R. Turan
