電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成
電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成
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通过电子束蒸发在Ge上形成Y氧化物基栅绝缘膜
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中島 寛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
秋山 健太郎;井芹 健人;温 偉辰;山本 圭介;王 冬;中島 寛
