ハーフメタルをフィルタ層とするフローティングゲート型Si-MISキャパシタにおける誘電特性
ハーフメタルをフィルタ層とするフローティングゲート型Si-MISキャパシタにおける誘電特性
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半金属滤波层浮栅Si-MIS电容器的介电特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
横田壮司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
村田章太郎;横田壮司;横田壮司;横田壮司;横田壮司
