Epitaxial Growth and Characteristics of Gallium Oxide Based Ultrawide Bandgap Semiconductors
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复制标题
氧化镓基超宽带隙半导体的外延生长及特性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Qixin GUO
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Congyu Hu; Fabi Zhang; Katsuhiko Saito;Tooru Tanaka;and Qixin Guo;Qixin GUO;Qixin GUO;Qixin GUO;Qixin GUO
