Impact of PVD-based In-situ Fabrication Method for Metal/High-k Gate Stacks

Impact of PVD-based In-situ Fabrication Method for Metal/High-k Gate Stacks
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基于 PVD ​​的原位制造方法对金属/高 k 栅极堆栈的影响

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
影响因子：
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通讯作者：
S.Horie
S.Horie
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
尾崎 哲;他;H.Watanabe;S.Horie

文献摘要

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