Si segregation in polycrystalline Co2MnSi films with grain-size control
Si segregation in polycrystalline Co2MnSi films with grain-size control
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晶粒尺寸控制的多晶 Co2MnSi 薄膜中的 Si 偏析
DOI：
10.1063/1.3276073
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发表时间：
2009
影响因子：
4
通讯作者：
G. Hix
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Hirohata;S. Ladak;N. P. Aley;G. Hix
为了表征多晶Co2MnSi Heusler合金薄膜的界面/表面性质，研究了晶粒度随退火时间的变化规律。在这里，为了最大化界面/表面积，我们采用了专门设计的溅射系统来制备纳米级颗粒的样品。我们得到的良好控制的晶粒明显地显示出Si相偏析。这种硅相在室温附近变得导电，并可能是先前由[Wang等，Appl.]报道的隧道磁阻显著降低的原因。太棒了。让我们来吧。93、122506(2008年)]。
In order to characterize the interface/surface properties of polycrystalline Co2MnSi Heusler alloy films, grain-size evolution with increasing annealing time has been investigated. Here, samples with nanometer-scale grains have been prepared by our specially-designed sputtering system in order to maximize the interface/surface area. Our well-controlled grains clearly show Si phase segregation. This Si phase becomes conductive near room temperature and may be responsible for the significant decrease in tunneling magnetoresistance previously reported by [Wang et al., Appl. Phys. Lett. 93, 122506 (2008)].
影响因子：
3.7
作者：
Schneider, H.;Jakob, G.;Adrian, H.
通讯作者：
Adrian, H.