Masaki Hirayama: "Low-Temperature Growth of High-Integrity Silicon Oxide Films by Oxygen Radical Generated in High-Density Krypton Plasma"Technical Digest of international Electron Devices Meeting 1999. 249-252 (1999)
Masaki Hirayama: "Low-Temperature Growth of High-Integrity Silicon Oxide Films by Oxygen Radical Generated in High-Density Krypton Plasma"Technical Digest of international Electron Devices Meeting 1999. 249-252 (1999)
复制标题
平山正树：“通过高密度氪等离子体中产生的氧自由基实现高完整性氧化硅薄膜的低温生长”国际电子器件会议技术文摘 1999. 249-252 (1999)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
