Recent progress in Normally-off GaN-based transistors
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常关型 GaN 晶体管的最新进展
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masaaki Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Joel T. Asubar;Shinsaku Kawabata;Hirokuni Tokuda;Akio Yamamoto;and Masaaki Kuzuhara
