Oxidation of Strained Si-Ge Layers Grown by MBE

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MBE 生长的应变 Si-Ge 层的氧化

DOI:
10.1557/proc-102-295
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发表时间:
1987
期刊:
MRS Proceedings
影响因子:
--
通讯作者:
R. Mcintosh
R. Mcintosh
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
G. Patton;S. Iyer;S. Delage;É. Ganin;R. Mcintosh

文献摘要

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