Spectroscopy of excitons and shallow impurities in isotopically enriched silicon—electronic properties beyond the virtual crystal approximation
Spectroscopy of excitons and shallow impurities in isotopically enriched silicon—electronic properties beyond the virtual crystal approximation
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同位素富集硅中激子和浅层杂质的光谱——超越虚拟晶体近似的电子特性
DOI：
10.1016/j.ssc.2004.12.023
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发表时间：
2005
影响因子：
2.1
通讯作者：
M. Thewalt
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Thewalt
