High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films

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热等离子体射流结晶诱导重磷非晶硅薄膜的高效掺杂剂活化

DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Extended Abst of 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
影响因子：
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通讯作者：
H. Kaku
H. Kaku
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
金政祐司;大竹恵子;荒井弘和;五十嵐祐;大対香奈子;加藤潤三;加藤司;木村昌紀;串崎真志;小林知博;酒井佐枝子;相馬敏彦;畑中美穂枚;平井啓;三沢良;Satoshi Hino;Satoshi Hino;日野聡;日野聡;Satoshi Hino;日野 聡;日野 聡;Satoshi Hino;Hirotaka Kaku;Hirotaka Kaku;Hirotaka Kaku;H. Kaku;H. Kaku

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