窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフト
窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフト
复制标题
氮δ掺杂GaAs中激子精细结构的抗磁位移
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
原田幸弘
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
兵頭彦次;谷村充;杉山真悟;佐藤良一;原田幸弘
