13.56-MHz Class-E RF power amplifier using normally-on GaN HEMT
13.56-MHz Class-E RF power amplifier using normally-on GaN HEMT
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使用常开 GaN HEMT 的 13.56MHz E 类射频功率放大器
DOI：
10.1109/iecon.2014.7048621
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hiroaki Yamada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Okamoto;Toshihiko Tanaka;Koyo Matuzaki;T. Hashizume;Hiroaki Yamada
氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 具有吸引人的特性、低导通电阻和快速开关速度。本文介绍了我们制造的常开型 GaN HEMT 的特性。此外，还分析了E类放大器的电路操作。实验结果证明了常开型 GaN HEMT 和 13.56MHz 射频 (RF) 功率放大器的栅极驱动电路具有出色的性能。
Gallium nitride high-electron mobility transistors (GaN HEMTs) have attractive properties, low on-resistances and fast switching speeds. This paper presents the characteristics of a normally-on GaN HEMT that we fabricated. Further, the circuit operation of a Class-E amplifier is analyzed. Experimental results demonstrate the excellent performance of the gate drive circuit for the normally-on GaN HEMT and the 13.56MHz radio frequency (RF) power amplifier.
DOI：
10.1109/isie.2010.5637484
发表时间：
2010-07
期刊：
2010 IEEE International Symposium on Industrial Electronics
影响因子：
--
作者：
T. C. Beh;T. Imura;Masaki Kato;Yoichi Hori
通讯作者：
T. C. Beh;T. Imura;Masaki Kato;Yoichi Hori