Ar+イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価
Ar+イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価
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Ar+离子辐照的MOCVD-GaN:Si薄膜的电学评估
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川上烈生
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中野由崇;高木健司;小川大輔;中村圭二;新部正人;川上烈生
