Effect of structure parameters on performance of N-polar GaN/InAlN high electron mobility transistor
Effect of structure parameters on performance of N-polar GaN/InAlN high electron mobility transistor
复制标题
结构参数对N极GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响
DOI：
10.7498/aps.68.20191153
复制
发表时间：
2019
影响因子：
1
通讯作者：
Zheng You-Dou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Yan-Li;Wang Wei;Dong Yan;Chen Dun-Jun;Zhang Rong;Zheng You-Dou
