Two-dimensional analytical models for the symmetrical triple-material double-gate strained Si MOSFETs
Two-dimensional analytical models for the symmetrical triple-material double-gate strained Si MOSFETs
复制标题
对称三材料双栅极应变硅 MOSFET 的二维分析模型
DOI：
10.7498/aps.63.148502
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发表时间：
2014
影响因子：
1
通讯作者：
Fan Xiao-Jiao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xin Yan-Hui;Liu Hong-Xia;Wang Shu-Long;Fan Xiao-Jiao
