Characterization of single-event multiple cell upsets in SRAM in a 65 nm triple-well CMOS technology
Characterization of single-event multiple cell upsets in SRAM in a 65 nm triple-well CMOS technology
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65 nm 三井 CMOS 技术中 SRAM 中单粒子多单元翻转的表征
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
YAO Long
中科院分区：
文献类型：
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作者：
CHEN HaiYan;CHEN JianJun;YAO Long
