N. Ohshima, K. Shibata, Y. Orihashi, A. Sugihara: "Growth Process of GaN on Sapphire at High Growth Temperature by Gas Source Molecular Beam Epitaxy"Transaction of the Materials Research Society of Japan.
N. Ohshima, K. Shibata, Y. Orihashi, A. Sugihara: "Growth Process of GaN on Sapphire at High Growth Temperature by Gas Source Molecular Beam Epitaxy"Transaction of the Materials Research Society of Japan.
复制标题
N. Ohshima、K. Shibata、Y. Orihashi、A. Sugihara：“通过气源分子束外延在高生长温度下在蓝宝石上生长 GaN”，日本材料研究学会会刊。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
