Post-annealing effect of high mobility (110) Cu_2O epitaxial film for application to p-channel thin film transistor
Post-annealing effect of high mobility (110) Cu_2O epitaxial film for application to p-channel thin film transistor
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p沟道薄膜晶体管高迁移率(110)Cu_2O外延薄膜的后退火效应
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Matsuzaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
渡辺 亮子;鎌田 香織;彌田 智一;K. Matsuzaki;K. Matsuzaki
