Si表面炭化により形成したSiC薄膜上への窒化物半導体成長
Si表面炭化により形成したSiC薄膜上への窒化物半導体成長
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Si表面碳化形成的SiC薄膜上氮化物半导体的生长
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
崔 正原;劉 恢弘;藤井 英俊;出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩
