Electroluminescence properties of GalnP/GaAs : Er, O/GaInP doubleheterostructure light-emitting diodes at low temperature
Electroluminescence properties of GalnP/GaAs : Er, O/GaInP doubleheterostructure light-emitting diodes at low temperature
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GalnP/GaAs：Er、O/GaInP双异质结构发光二极管的低温电致发光特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. TERM
中科院分区：
文献类型：
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作者：
安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA;Y. TERM
