Ge/Si Hetero-Junction TFETs with In-situ Boron-Doped Ge-Source
Ge/Si Hetero-Junction TFETs with In-situ Boron-Doped Ge-Source
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具有原位硼掺杂 Ge 源的 Ge/Si 异质结 TFET
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shinichi Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Minsoo Kim;Yuki K. Wakabayashi;Masafumi Yokoyama;Ryosho Nakane;Mitsuru Takenaka;and Shinichi Takagi
