Development of Manganese Nitride Resistor with Near-Zero Temperature-Coefficient of Resistance to Achieve High-Thermal-Stability ICs
Development of Manganese Nitride Resistor with Near-Zero Temperature-Coefficient of Resistance to Achieve High-Thermal-Stability ICs
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开发电阻温度系数接近零的氮化锰电阻器以实现高热稳定性 IC
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hisashi Kino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sekiya Hiroo;Ma Jingyue;Nguyen Kien;Wei Xiuqin;山田寛喜，羽澤帆乃佳，森浩樹;Hisashi Kino
