Ripple topography development on ion bombarded Si
Ripple topography development on ion bombarded Si
复制标题
离子轰击硅上的波纹形貌发展
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Nobes
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Carter;V. Vishnyakov;M. Nobes
