Origin of oriented crystal growth of radiantly melted silicon on SiO2
Origin of oriented crystal growth of radiantly melted silicon on SiO2
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SiO2 上辐射熔融硅定向晶体生长的起源
DOI：
10.1063/1.95317
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发表时间：
1984
影响因子：
4
通讯作者：
J. Zesch
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Biegelsen;L. Fennell;J. Zesch
我们直接证明了在SiO2上的辐射熔融硅中的薄片的{100}织构来自于沉积的固体膜中的前体种子。晶体硅和SiO2之间的各向异性界面自由能控制取向。
We demonstrate directly that {100} texturing of lamellae in radiantly melted silicon on SiO2 derives from precursor seeds in the as‐deposited solid film. The anisotropic interfacial free energy between crystalline silicon and SiO2 controls the orientation.