Electroluminescence in Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Diodes with an Ultrathin Silicon Layer
Electroluminescence in Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Diodes with an Ultrathin Silicon Layer
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具有超薄硅层的金属氧化物半导体隧道二极管中的电致发光
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Arima and M. Morita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Tsuchida;K. Matsumura;R. Yamada;Y. Oshikane;K. Kawai;J. Uchikoshi;K. Arima and M. Morita
