Enhancement in RF performance of LDMOS transistor utilizing large signal TCAD physical simulation

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利用大信号 TCAD 物理仿真增强 LDMOS 晶体管的 RF 性能

DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
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影响因子：
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通讯作者：
Q. Wahab
Q. Wahab
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
A. Kashif;T. Johansson;C. Svensson;T. Arnborg;Q. Wahab

文献摘要

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