Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors with Different Gate Oxide Thicknesses
Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors with Different Gate Oxide Thicknesses
复制标题
不同栅极氧化层厚度的 SiC MOS 电容器中的单事件栅极破裂
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takuro Tbmita and Takeshi Ohshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Manato Deki;Takahiro Makino;Kazutoshi Kojima;Takuro Tbmita and Takeshi Ohshima
