Exciton Response Controlled by Introducing a Spacer Layer in Nitrided InAs Quantum Dots
Exciton Response Controlled by Introducing a Spacer Layer in Nitrided InAs Quantum Dots
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通过在氮化 InAs 量子点中引入间隔层来控制激子响应
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Mamizuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Kaji;et al.;M. Mamizuka
