Growth process and nanostructure of crystalline GaAs on Si(110) surface prepared by molecular beam enitaxy
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分子束外延生长Si(110)表面GaAs晶体的生长过程及纳米结构
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Usui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yukinori Sudo;Shigeru Arai;Atsushi Nishida;H.Usui
