Makoto Ishida and Tetsuro Nakamura: "Selective Epitaxial Growth of Si on A12O3 using electron Beam irradiation" Extended Abstracts(The 39th Spring Meeting,1992)of The Japan Society of Applied Physics. No.0. 1235
Makoto Ishida and Tetsuro Nakamura: "Selective Epitaxial Growth of Si on A12O3 using electron Beam irradiation" Extended Abstracts(The 39th Spring Meeting,1992)of The Japan Society of Applied Physics. No.0. 1235
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Makoto Ishida 和 Tetsuro Nakamura：“使用电子束照射在 A12O3 上选择性外延生长 Si”扩展摘要（第 39 届春季会议，1992 年）日本应用物理学会。
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