Quantum galvanomagnetic properties of n-type inversion layers on Si(100) MOSFET
Quantum galvanomagnetic properties of n-type inversion layers on Si(100) MOSFET
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Si(100) MOSFET n 型反型层的量子电磁特性
DOI：
10.1016/0039-6028(76)90144-8
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发表时间：
1976
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
J. Wakabayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. KawajiI;J. Wakabayashi
