反強磁性近藤半導体CeOs2Al10の三段ギャップ構造に対するLa希釈効果
反強磁性近藤半導体CeOs2Al10の三段ギャップ構造に対するLa希釈効果
复制标题
La稀释效应对反铁磁近藤半导体CeOs2Al10三阶能隙结构的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
高畠敏郎
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
川端丈;浴野稔一;岡田泰洋;山田義大;杉本暁;室裕司;高畠敏郎
