金属ナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性
金属ナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性
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金属纳米点浮栅MOS电容器的存储特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小柳光正
中科院分区：
文献类型：
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作者：
裴艶麗;福島誉史;田中徹;小柳光正
