Positive Temperature Variation of the Bandgap Energy in AgInS_2 Chalcopyrite Semiconductor
Positive Temperature Variation of the Bandgap Energy in AgInS_2 Chalcopyrite Semiconductor
复制标题
AgInS_2黄铜矿半导体带隙能的正温度变化
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Ozaki and Y. Horikoshi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Sameshima;T. Nagao;M. Hasumi;A. Shuku;E. Takahashi;and Y. Andoh;S. Ozaki and Y. Horikoshi
