Electrical characterization of Al2O3/diamond MOS interface under various wet-annealing times
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复制标题
不同湿法退火时间下Al2O3/金刚石MOS界面的电学特性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Tokuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X. Zhang;T. Matsumoto ;M. Sometani;M. Ogura;T. Makino;D. Takeuchi; C.E. Nebel;T. Inokuma;S. Yamasaki;and N. Tokuda
