M.Fujiu et al.: "Carbon Effect on Thermal Stability of Si Atomic Layer on Ge(100)"First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003). 249-250 (2003)
M.Fujiu et al.: "Carbon Effect on Thermal Stability of Si Atomic Layer on Ge(100)"First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003). 249-250 (2003)
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M.Fujiu 等人：“碳对 Ge(100) 上硅原子层热稳定性的影响”第一届国际 SiGe 技术和器件会议 (ISTDM 2003)。
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