多光子顕微鏡による化合物半導体の欠陥解析
多光子顕微鏡による化合物半導体の欠陥解析
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使用多光子显微镜进行化合物半导体的缺陷分析
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
谷川智之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kikkawa;D. Reitz;H. Ito;T. Makiuchi;T. Sugimoto;K. Tsunekawa;S. Daimon;K. Oyanagi;R. Ramos;S. Takahashi;Y. Shiomi;Y. Tserkovnyak;and E. Saitoh;谷川智之
