High-Resolution Anger Depth Profiling by sub-keV Ion Sputlering
High-Resolution Anger Depth Profiling by sub-keV Ion Sputlering
复制标题
通过亚 keV 离子溅射进行高分辨率愤怒深度分析
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.J.Kong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Inoue;R.Shimizu;H.I.Lee;H.J.Kong
