T. Saito, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida, O. Moriwaki, and Y. Arakawa: "Formation of InGaN Quantum Dots : MOCVD Growth and Electronic Structures"Proc. of 3rd SANKEN Int. Symp. on Advanced Nanoelectronics : Devices, Materials, and Computing, Osaka, Jap
T. Saito, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida, O. Moriwaki, and Y. Arakawa: "Formation of InGaN Quantum Dots : MOCVD Growth and Electronic Structures"Proc. of 3rd SANKEN Int. Symp. on Advanced Nanoelectronics : Devices, Materials, and Computing, Osaka, Jap
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T. Saito、T. Someya、K. Tachibana、S. Ishida、O. Moriwaki 和 Y. Arakawa：“InGaN 量子点的形成：MOCVD 生长和电子结构”Proc。
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