Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy
Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy
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有机金属气相外延生长的Eu掺杂GaN基发光二极管的电致发光特性
DOI：
10.1557/opl.2011.994
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Nishikawa;N.Furukawa;D.Lee;K.Kawabata;T.Matsuno;R.Harada;Y.Terai;Y.Fujiwara
