1.3 µm CW Operation of GaInAsP/InP DH Diode Lasers at Room Temperature
1.3 µm CW Operation of GaInAsP/InP DH Diode Lasers at Room Temperature
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GaInAsP/InP DH 二极管激光器在室温下进行 1.3 µm 连续操作
DOI：
10.1143/jjap.16.1273
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发表时间：
1977
影响因子：
1.5
通讯作者：
K. Sugiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Oe;S. Ando;K. Sugiyama
