Stress-relaxation mechanism in ultra-thin SiGe on insulator formed by H^+ irradiation-assisted Ge condensation method
Stress-relaxation mechanism in ultra-thin SiGe on insulator formed by H^+ irradiation-assisted Ge condensation method
复制标题
H^辐照辅助Ge凝聚法绝缘体上超薄SiGe的应力松弛机制
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Tanaka;A.Kenjo;T.Sadoh;M.Miyao
