High-Sensitive ISFETs based on InP Porous Structures
High-Sensitive ISFETs based on InP Porous Structures
复制标题
基于 InP 多孔结构的高灵敏度 ISFET
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Yoshizawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Sato;N.Yoshizawa
