Evolution of the structure and hydrogen bonding configuration in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers and layers
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退火氢化 a-Si/a-Ge 多层结构和氢键构型的演变
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Khánh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Frigeri;M. Serényi;A. Csík;Zsolt Szekrényes;K. Kamarás;L. Nasi;N. Khánh
