A 42 to 47-GHz, 8-bit I/Q digital-to-RF converter with 21-dBm Psat and 16% PAE in 45-nm SOI CMOS
A 42 to 47-GHz, 8-bit I/Q digital-to-RF converter with 21-dBm Psat and 16% PAE in 45-nm SOI CMOS
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DOI：
10.1109/rfic.2013.6569574
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发表时间：
2013-06
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Agah;Wei Wang;P. Asbeck;L. Larson;J. Buckwalter
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Agah;Wei Wang;P. Asbeck;L. Larson;J. Buckwalter
采用45 nm SOI芯片实现了一种新型的叠层式FET数模转换器，该转换器通过I/Q数模转换器(DAC)、I/Q混频器和叠层FET功率放大器共享直流电流以提供高功率输出。对于45 GHz的QPSK，所提出的结构以1.25 Gbps的速率传输。该发射机的饱和输出功率为21.3dBm，峰值平均功率效率为16%。包括焊盘在内，电路面积为0.3mm2，而在42~47 GHz范围内，PAE和PSAT保持在13%和18dBm以上。
A novel stacked FET digital-to-RF converter is implemented in 45-nm SOI CMOS, which shares DC current through an I/Q digital-to-analog converter (DAC), I/Q mixer, and stacked-FET PA to provide high output power. The proposed architecture transmits at 1.25 Gbps for QPSK at 45GHz. This transmitter exhibits a 21.3-dBm saturated output power, while achieving a peak PAE of 16%. The circuit occupies 0.3 mm2 including pads, while the PAE and Psat remains above 13% and 18 dBm from 42 to 47 GHz.