DETERMINATION OF EXISTING STRESS IN SILICON FILMS ON SAPPHIRE SUBSTRATE USING RAMAN-SPECTROSCOPY
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DOI：
10.1016/0038-1101(80)90164-1
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发表时间：
1980-01-01
影响因子：
1.7
通讯作者：
PONTCHARRA, J
中科院分区：
文献类型：
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作者：
ENGLERT, T;ABSTREITER, G;PONTCHARRA, J
