MOVPE growth of thick homogeneous InGaN directly on sapphire substrate using AlN buffer layer
MOVPE growth of thick homogeneous InGaN directly on sapphire substrate using AlN buffer layer
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使用 AlN 缓冲层直接在蓝宝石衬底上 MOVPE 生长厚均质 InGaN
DOI：
10.1016/s0038-1101(96)00155-4
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发表时间：
1997
影响因子：
1.7
通讯作者：
N. Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Shimizu;Y. Kawaguchi;K. Hiramatsu;N. Sawaki
