Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature
Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature
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室温下无需中间层即可直接键合 GaN 和金刚石
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Martin Kuball and Naoteru Shigekawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jianbo Liang;Makoto Kasu;Martin Kuball and Naoteru Shigekawa
