Electrotransport properties of p-ZnSnAs2 thin films growm by molecular beam epitaxy on semi-insulating (001) InP substrates
Electrotransport properties of p-ZnSnAs2 thin films growm by molecular beam epitaxy on semi-insulating (001) InP substrates
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半绝缘 (001) InP 衬底上分子束外延生长的 p-ZnSnAs2 薄膜的电传输特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Uchitomi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.T.Asubar;A.Kato;Y.Jinbo;N.Uchitomi
